这个问题说简单也简单，说不简单它也比较考验一个工程师的基础扎实不扎实。这里面有些技术细节还是比较容易被忽视的。
这里我们不必牵扯到太多的磁芯材质本身及制造上的问题，关键看应用上的细节区别，毕竟我们是应用工程。
可能会有些网友认为只要两者的材质，体积等参数一样，处理功率能力一样应该是可以互换的使用的。但是，实际上不是这样的，两者的机构决定了其在EMC方面的表现是不一样的。
我们先来看一下EE型磁芯的反激变压器结构（为节省时间，就用画图随手涂鸦一下，将就着看吧）：
众所周知，Flyback拓扑变压器是需要在中柱开气隙的，如上图所示。磁芯开气隙后，显然边缘漏磁通会增大，假设磁通如黄色所示。搞过EMC的应该都知道漏磁通的威力，此处不必多言。
然而，EE型磁芯有天生的优势，因为其气隙在中柱中间，气隙外层有厚厚的绕组屏蔽。由于绕组自身的屏蔽作用，漏磁通辐射到外部空间的可能大大降低。
下面我们看一下EI磁芯的结构：
如上图可知，EI磁芯的气隙要加载E片和I片的接触位置，即气隙位于边缘处。这样一来，绕组本身所起的屏蔽作用就大打折扣，甚至无能为力。
从两张图来看，这两种结构在EMC方面的表现就不言而喻了吧。
因此，本人设计电源时都避免选用气隙会开在边缘处的磁芯型号
